NEA GaN光電陰極的光譜響應(yīng)

1.19萬字 28頁 原創(chuàng)作品，通過查重系統(tǒng)


畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書中文摘要
GaN是一種新型半導(dǎo)體材料，在紫外光電陰極領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
本文通過介紹Spice提出的光電發(fā)射三部模型，詳細(xì)介紹了光電發(fā)射從內(nèi)部光電子激發(fā)、光電子從內(nèi)部傳輸?shù)奖砻?、穿過表面勢壘逸出的過程。以及介紹了負(fù)電子親和勢的原理，說明了NEA特性對(duì)光電陰極領(lǐng)域的重要作用。
本文還介紹了GaN材料的晶體結(jié)構(gòu)和能級(jí)結(jié)構(gòu)，說明了電子從GaN光電陰極發(fā)射到真空的過程和機(jī)理。
通過測試Cs/O激活后獲得負(fù)表面勢后的光譜響應(yīng)，比較了NEAGaN光電陰極相比起傳統(tǒng)光電陰極的優(yōu)勢，提出了改進(jìn)GaN光譜響應(yīng)的方向。


關(guān)鍵詞：NEA GaN 光電陰極 光譜響應(yīng)