SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的電子封裝材料制備技術(shù)（開題報(bào)告）
1、課題的目的及意義
1.1課題綜述
隨著近代高新技術(shù)的發(fā)展，對(duì)材料不斷提出多方面的性能要求。推動(dòng)著材料向高比強(qiáng)度、高比剛度、高比韌性、耐高溫、耐腐蝕、抗疲勞等多方而發(fā)展[1]。復(fù)合材料的出現(xiàn)在很大程度上解決了材料當(dāng)前面臨的問題，推進(jìn)了材料的進(jìn)展。
本課題正是結(jié)合產(chǎn)品生產(chǎn)的需要，運(yùn)用特定的成型技術(shù)，利用顆粒增強(qiáng)基體而制備的一種新型復(fù)合材料，這種復(fù)合材料是一種高體積分?jǐn)?shù)的電子封裝材料，同時(shí)也是一種功能梯度材料。本課題研究的出發(fā)點(diǎn)就是在了解材料特點(diǎn)的基礎(chǔ)上，結(jié)合實(shí)際的工藝條件，通過分析比較工藝要素，從而獲得一種可行的制備高體積分?jǐn)?shù)電子封裝材料的技術(shù)。
1.2 課題的現(xiàn)狀分析
1.2.1電子封裝材料
理想電子封裝材料的一些基本性能要求：導(dǎo)熱性能要好，能夠?qū)雽?dǎo)體芯片在工作時(shí)所產(chǎn)生的熱量及時(shí)地散發(fā)出去；膨脹系數(shù)(CTE) 要與Si 或GaA s等芯片相匹配；足夠的強(qiáng)度和剛度；成本要盡可能低；在某些特殊的場合, 還要求材料的密度盡可能小，或者要求材料具有電磁屏蔽和射頻屏蔽的特性[2]。
針對(duì)以上這些性能要求，開發(fā)了一種新型電子封裝材料——SiCp/A l 復(fù)合材料。